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文章第一作者为杜光远、联网陶梦丽，通讯作者为戚钰若、包淑娟和徐茂文。并且具有理论容量高与合成工艺简单，布局适合大规模工业生产的优势。失之桑榆（d）电化学稳定性以及与已发表文章的性能对比图。
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联网（c）离子电导率与已发表文章的性能比较图。
布局相关成果以Low-OperatingTemperature,High-RateandDurableSolid-StateSodium-IonBatteryBasedonPolymerElectrolyteandPrussianBlueCathode为题发表在AdvancedEnergyMaterials上。合成出来的VN是典型的多孔纳米线结构，失之桑榆中间有相互连接的开孔，失之桑榆基本都是均匀的120-150nm宽~2 μm长尺寸，VN的晶格条纹晶格间距为0.21 nm，与XRD验证的VN的(200)晶面匹配良好。
可以看到在镁离子电解液中，英特云端VN电极的CV值最大。在充放电过程中可逆增加的0.2 Å(2.1→1.9→2.1Å)的晶格间距的周期性变化证实了镁离子可逆的赝电容脱/嵌不会引起VN(200)晶面的相变，何和物而且晶格间距的变化可以用客体Mg离子与主体VN晶格之间增大的静电引力来解释。
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